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研磨粒子

纳米高纯硅研磨粒子是抛光液最主要的组成部分,在抛光过程中通过微切削、滚压等方式作用于被加工材料表面,达到机械去除材料的作用。纳米高纯硅是以水玻璃为原材料制备的硅溶胶研磨粒子。太阳成tyc234cc自主开发了具有纯度高、粒径分布窄、去除效率高的纳米高纯硅研磨粒子,实现了抛光液核心原材料自主可控。
所属分类
半导体材料
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产品描述
参数

纳米高纯硅研磨粒子

纳米高纯硅研磨粒子是抛光液最主要的组成部分,在抛光过程中通过微切削、滚压等方式作用于被加工材料表面,达到机械去除材料的作用。纳米高纯硅是以水玻璃为原材料制备的硅溶胶研磨粒子。太阳成tyc234cc自主开发了具有纯度高、粒径分布窄、去除效率高的纳米高纯硅研磨粒子,实现了抛光液核心原材料自主可控。

纳米超纯硅研磨粒子

纳米超纯硅研磨粒子是抛光液最主要的组成部分。纳米超纯硅是以硅酸为原材料制备的硅溶胶研磨粒子。纳米超纯硅溶胶具有良好的稳定性和分散性,不会引入金属阳离子污染,对基底材料造成的刮伤、划痕较少,适合用于软金属、硅等材料的抛光,是应用最广泛的研磨粒子。

纳米氧化铝研磨粒子

氧化铝研磨粒子具有硬度大、性能稳定等特点。太阳成tyc234cc自主开发了具有纯度高、粒径分布窄、分散性好的纳米氧化铝研磨粒子。太阳成tyc234cc该产品配套的氧化铝抛光液成功用于28nm 节点 HKMG 工艺 AI CMP 制程。

纳米氧化铈研磨粒子

氧化铈研磨粒子广泛用于氧化层CMP抛光液中。由于CeO2的四价铈离子具有强氧化性,对元件有高的化学活性;CeO2硬度相对较小,不会在元件表面留下明显的机械损伤;在浅槽隔离技术中,CeO2对SiO2和Si3N4两种材料具有高的选择比,同时它具有粒度均匀、用量少、能循环利用、易清洗等优点。

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